日本napson硅片晶圓平整度測(cè)量系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào)： FLA-200

所屬分類：

產(chǎn)品時(shí)間：2024-09-07

簡(jiǎn)要描述：日本napson硅片晶圓平整度測(cè)量系統(tǒng)FLA-200
非接觸式平面度/厚度測(cè)量系統(tǒng)。測(cè)量晶片樣品的平整度（TTV，BOW，WARP）和厚度。
-支持測(cè)量厚度，TTV，BOW，翹曲，場(chǎng)地平面度和整體平面度（符合ASTM）
?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測(cè)量
? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測(cè)量

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日本napson硅片晶圓平整度測(cè)量系統(tǒng)FLA-200

產(chǎn)品特點(diǎn)

非接觸式平面度/厚度測(cè)量系統(tǒng)。測(cè)量晶片樣品的平整度（TTV，BOW，WARP）和厚度。

• -支持測(cè)量厚度，TTV，BOW，翹曲，場(chǎng)地平面度和整體平面度（符合ASTM）
• ?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
• ?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
• ?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測(cè)量
• ? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測(cè)量

測(cè)量目標(biāo)

?半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
?硅基外延，離子注入樣品
?化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）

測(cè)量尺寸

3-8英寸

測(cè)量范圍

厚度：200 –1200μm
弓形：+/- 350μm
翹曲：350μm

產(chǎn)品特點(diǎn)

非接觸式平面度/厚度測(cè)量系統(tǒng)。測(cè)量晶片樣品的平整度（TTV，BOW，WARP）和厚度。

• -支持測(cè)量厚度，TTV，BOW，翹曲，場(chǎng)地平面度和整體平面度（符合ASTM）
• ?支持2-D和3-D映射顯示的軟件
• ?數(shù)據(jù)可以輸出為CSV文件
• ?使用5mmφ芯電容探頭進(jìn)行高精度測(cè)量
• ? 60秒內(nèi)進(jìn)行12,000點(diǎn)掃描/高速測(cè)量